隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)?，還是一路向窄？
新浪科技訊據(jù)報道，韓國三星電子是全世界最大的存儲芯片制造商，日前，三星電子研發(fā)團隊和美國哈佛大學(xué)共同發(fā)表了一篇研究論文，他們提出了一種新方法，準(zhǔn)備在一個存儲芯片上“反向工程”（復(fù)制）人類的大腦。
從智能手機、電視到風(fēng)力渦輪機，硅芯片的需求正在蓬勃發(fā)展，但它也付出了巨大的代價：巨大的碳足跡。該行業(yè)呈現(xiàn)出一個悖論。實現(xiàn)全球氣候目標(biāo)在某種程度上要依靠半導(dǎo)體。它們是電動汽車、太陽能電池陣列和風(fēng)力渦輪機的組成部分。
外媒報導(dǎo)，下世代半導(dǎo)體先進制程技術(shù)，研究人員已在開發(fā)稱為“CasFET”的制程技術(shù)，除了更低開關(guān)電壓、更低功耗和更高密度設(shè)計，新型芯片在晶體管應(yīng)用難題獲得更好解決法，開發(fā)性能更優(yōu)異的芯片產(chǎn)品。
美國麻省理工學(xué)院的工程師利用嵌入植物葉子中的特殊納米顆粒，創(chuàng)造出一種可由LED充電的新型發(fā)光植物。
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