CMSL018N10A MOSFET—重新定義高效能功率轉(zhuǎn)換
CMSL018N10A MOSFET—重新定義高效能功率轉(zhuǎn)換
——專為高可靠性、高功率密度設(shè)計而生的新一代功率器件
CMSL018N10A是廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司(Cmos)推出的N溝道功率MOSFET,憑借其100V耐壓、292A連續(xù)電流和超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)max 2mΩ),成為高功率密度設(shè)計的理想選擇。其芯片工藝采用先進(jìn)的柵裂工藝,結(jié)合Cmos先進(jìn)的封裝技術(shù),在效率、熱管理和可靠性上全面領(lǐng)先,可顯著降低系統(tǒng)損耗,提升能源轉(zhuǎn)換效率。
一、封裝形式
下圖是CMSL018N10A封裝形式和內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖,采用TOLL-8功率級封裝形式, 具有卓越的熱管理性。
二、基礎(chǔ)參數(shù)
1. 漏源電壓(VDS):100V
2. 連續(xù)漏極電流(ID@Tc=25℃):292A(需結(jié)合散熱條件)
3. 導(dǎo)通電阻RDS(on):2mΩ(max)
4. 柵源閾值電壓VGS(th):4.0V(最大值)
三、核心優(yōu)勢——突破性能邊界,賦能高效系統(tǒng)
1、CMSL018N10A在以下方面具有核心優(yōu)勢。
高效率,較低的優(yōu)值系數(shù)FOM = QG×RDS(on),使得MOSFET在靜態(tài)和動態(tài)之間高頻切換時,提高了轉(zhuǎn)化效率。
高魯棒性,高效的熱管理性能是電路在高功率應(yīng)用場景中有力的“穩(wěn)定劑”。
高RSP設(shè)計,較高的耐壓耐流值參數(shù)決定了單位面積的芯片上可承載很高的功率。
抗沖擊性強,EAS雪崩沖擊能量達(dá)到5062mJ,完全可以承載電路中高電壓/電流突變情況dv/dt或di/dt(如開啟和關(guān)閉瞬間的壓流突變)
2、技術(shù)亮點:為嚴(yán)苛場景而生
極致效率:
超低RDS(on)(2mΩ@VGS=10V)大幅降低導(dǎo)通損耗,提升全負(fù)載范圍能效。
動態(tài)性能優(yōu)化:
低Qg(柵極電荷)與快速開關(guān)特性,支持MHz級高頻應(yīng)用,減少外圍元件成本。
卓越熱管理:
TOLL-8封裝搭配低熱阻設(shè)計,輕松應(yīng)對高功率密度散熱挑戰(zhàn)。
堅固可靠:
支持-55°C至+150°C寬溫工作,適應(yīng)極端環(huán)境。
四、應(yīng)用推薦
CMSL018N10A有著上述諸多優(yōu)秀的特性,這些綜合優(yōu)勢使其在實際應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性,以下是推薦使用場景。
應(yīng)用場景:覆蓋工業(yè)與新能源核心領(lǐng)域
1. 電動汽車與充電系統(tǒng)
車載DC-DC轉(zhuǎn)換器、OBC(車載充電機)、電機驅(qū)動
支持高頻開關(guān),減少磁性元件體積,助力輕量化設(shè)計。
2. 工業(yè)自動化與電源
工業(yè)伺服驅(qū)動、UPS電源、焊接設(shè)備
低損耗特性降低溫升,保障設(shè)備長期穩(wěn)定運行。
3. 可再生能源系統(tǒng)
光伏逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)
高耐壓與高電流能力,適應(yīng)復(fù)雜電網(wǎng)波動環(huán)境。
4. 消費電子與高端設(shè)備
大功率適配器、高能效服務(wù)器電源
優(yōu)化輕載效率,滿足80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)。
5. LCDM 液晶顯示
LCD TV
五、設(shè)計建議:釋放器件潛力
布局優(yōu)化:
縮短功率回路路徑,降低寄生電感,避免開關(guān)振蕩。
驅(qū)動配置:
建議驅(qū)動電壓VGS≥10V以實現(xiàn)最低RDS(on),確??焖匍_通/關(guān)斷。
散熱策略:
搭配高性能散熱器或PCB銅箔散熱設(shè)計,充分利用封裝熱特性。
六、為何選擇CMSL018N10A?
成本效益: 高功率密度減少系統(tǒng)尺寸與材料成本。
未來兼容性:符合工業(yè)4.0、電動汽車與綠色能源趨勢。
全球供應(yīng)鏈保障: 廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體成熟技術(shù)支持與穩(wěn)定供貨能力。
立即行動:
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型號速查: CMSL018N10A
關(guān)鍵參數(shù): VDS=100V, ID=292A, RDS(on)=2mΩ@VGSth=10V, TOLL-8封裝
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