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CMF65R105：開關電源的優(yōu)選
CMF65R105使用Cmos先進的超級結技術，可以實現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術可以提供高的效率。非常適合于開關電源應用，如PFC、適配器、服務器/電信電力、FPD電視電源、ATX電源和工業(yè)電源等應用。
卓越的電氣特性
CMF65R105的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMF65R105的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達31A。
高EAS：CMF65R105采用Cmos先進的超級結技術，EAS達到1353mJ，具有很強的抗沖擊能力。
低導通損耗：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF65R105的導通電阻（RDS(on)）最大為0.1Ω。低導通電阻降低了導通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在各種開關電源電路使用中效率更高。
低開關損耗：較小的QG、CISS，使其具有優(yōu)越的開關性能，較小的開關損耗。
適用范圍廣泛
CMF65R105 MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應用場景，在各種開關電源電路中，MOS管的低導通電阻、低QG、低結電容，使其有較好的開關特性及低開關損耗、低導通損耗，并直接影響工作時的溫升、可靠性、能效，CMF65R105表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
