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研究人員開發(fā)了新的納米線結構 提高了芯片小型化能力

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研究人員開發(fā)了新的納米線結構 提高了芯片小型化能力

來源:cnBeta.COM


       EPFL研究員ValerioPiazza在半導體材料實驗室工作,主要研究納米級的半導體。他特別關注納米線和使用半導體材料構建的納米結構,研究的目標是將晶體管改進到超過當前的飽和點。晶體管是現代設備的關鍵部件,從汽車到智能手機和廚房電器,以及其他設備都廣泛運用。
  
  由于接近飽和的設計,晶體管的微型化正在達到極限。據Piazza稱,主要的挑戰(zhàn)是與克服飽和點有關的處理能力。
  
  他認為我們可以利用納米線和其他類型的納米結構來克服當前的飽和狀態(tài)。目前的改進來自于微加工方法的進步,使工程師能夠開發(fā)出緊湊而復雜的電子設備。隨著晶體管尺寸的縮小,可以在電路上安裝更多的晶體管,提高其處理能力。
  
  電子設備能有多小,受限于晶體管的尺寸。Piazza致力于開發(fā)基于納米線的新型晶體管,以用于量子計算機。量子計算機依賴于被稱為量子比特的基本元素,即最小的內存單位,這個亞微米級別是皮亞杰的研究重點。
  
  實驗室里正在制造的導線由周期表第三組和第五組的原子組成,包括鎵、鋁、銦、氮、磷和砷。今天設備中使用的晶體管的尺寸約為10納米,而實驗室中創(chuàng)建的水平納米線的尺寸相同,但有望根據晶體質量提高電性能。
  
  研究人員使用的方法是在基底表面蝕刻納米導體,以創(chuàng)建不同的圖案,從而對各種結構的性能進行測試。
  
  該研究目前正專注于確定可以改善該過程的因素。
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